반도체 용어 정리

안녕하세요.

 

<출처 : brinknews.com>

 

반도체 용어를 따로 정리할 필요가 있을까라는 주변의 만류에도 불구하고 블로그를 작성하는 이유는, 저도 반도체를 배울 때 일반적이지 않은 용어때문에 고생을 많이 했기 때문입니다.

 

Ctrl+F로 검색해서 반도체 용어를 확인해 보시기 바랍니다.

계속 추가 중입니다.

 

A)

ALD : Atomic layer deposition의 줄임말. 원자층증착. 박막을 증착할 때 사용하는 공정.

Amorphous : 비정질.

ASD : Area selective deposition의 줄임말. 원하는 지역에만 박막을 형성하는 증착 공정.

 

B)

Bandgap : 밴드갭. Conduction band와 valence band의 차이.

Barrier : 장벽.

BL : Bit line의 줄임말.

Box : Block oxide의 줄임말.

 

C)

C&C : Cleaning & CMP.

CBM : Conduction band minimum의 줄임말. 여기된 전자가 존재할 수 있는 energy 영역대에서 가장 낮은 energy.

Circuit : 회로.

Cleaning : 세정. 불순물이나 입자를 제거하는 공정.

CMOS : Complementary metal oxide semiconductor의 줄임말.

CMP : Chemical mechanical polishing. 화학기계적연마. 평탄화하는 공정.

Conduction band : 여기된 전자가 존재할 수 있는 energy 영역대.

Control gate : NAND flash memory에서 사용되는 gate 종류 중 하나. NAND flash memory의 control gate는 CMOS의 gate와 동일한 역할.

C-V curve : 전압 (voltage) 변화에 따른 전하 (charge) 변화를 확인할 수 있는 그래프.

CVD : Chemical vapor deposition. 화학기상증착. 박막을 증착할 때 사용하는 공정.

 

D)

Depletion : 공핍.

Deposition : 증착.

Drain : 

DSL : Drain selective line의 줄임말.

 

E)

Etch : 식각.

 

F)

Floating gate : 

 

G)

Gate : 

 

H)

 

I)

I/O : Input/Output의 줄임말.

ILD : Inter layer dielectric의 줄임말.

I-V curve : 전압 (voltage) 변화에 따른 전류 (current) 변화를 확인할 수 있는 그래프.

 

J)

Junction : 

 

K)

 

L)

Layer : 층.

Layout : 설계도.

 

M)

Mask : 

 

N)

Nitride : 질화물. 일반적으로 silicon nitride (Si3N4)를 의미함.

 

O)

Oxide : 산화물. 일반적으로 silicon oxide (SiO2)를 의미함.

 

P)

Photo : Photolithography의 줄임말. 노광공정.

PI : Process integration의 줄임말.

Poly-Si : 다결정 실리콘.

PT : Package test 혹은 Probe test의 줄임말.

PVD : Physical vapor deposition. 물리기상증착.

 

Q)

QA : Quality analysis의 줄임말.

QC : Quality control의 줄임말.

QE : Quality engineering의 줄임말.

CQE : Customer quality engineering의 줄임말.

 

R)

Reliability : 신뢰성.

Retention : 신뢰성 항목 중 하나. Data의 유지하는 능력.

 

S)

SEM : Scanning electronic microscopy의 줄임말. 주사전자현미경은 샘플 표면에 전자를 조사시켜 발생되는 샘플의 이차 전자를 검출하여 이미지로 보여주는 분석 설비.

SL : Selective line의 줄임말.

Source : 

SSL : Source selective line의 줄임말.

 

T)

TEM : Tunneling electronic microscopy의 줄임말. 투과전자현미경은 샘플에 투과된 전자를 검출하는 이미지 분석.

Thin-Film : 박막

THK : Thickness의 줄임말.

Tox : Tunnel oxide의 줄임말.

Tunneling : Carrier가 의도치 않게 막을 통과하는 현상.

 

U)

 

V)

Valence band : 원자 핵에 속박된 전자가 갖는 energy 영역대.

VBM : Valence band maximum의 줄임말. 원자 핵에 속박된 전자 갖는 energy의 최대값.

 

W)

WL : Word line의 줄임말.

Workfunction : 일함수.

 

X)

 

Y)

 

Z)

 

검색창에 '반도체 정보공유소'를 입력하세요.